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II类超晶格中波红外焦平面探测器

II类超晶格中波红外焦平面探测器

商城价: 面议

市场价:¥0

专利申请号:

专利分类: 医药医疗化工类   生物医药

专利类型:发明专利

交易方式: 第三方委托

人气值 43

技术与证书一起转让

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    专利详情 最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

    与前代红外探测器相比,新一代红外焦平面探测器具有以下三个个明显特征:1、高分辨率多波长探测的制冷焦平面;2、制造成本大幅度降低;3、无源探测。相比其他材料为基础的红外探测器,超晶格探测器的优势十分明显。1、基于III-V族材料分子刷生长技术,大面积衬底上均匀性好,易于实现掺杂,无合金涨落等现象,利于大面积焦平面阵列的制作。2、能带结构带隙可调,通过调整InAs与GaSb各层的厚度,能够实现2um到30um任意探测波长。3、电子质量大、隧穿电流小。4、通过适当的材料设计可以增大重空穴带与轻空穴带带隙分离,从而实现抑制俄歇复合的作用,提高探测器的工作温度。

    交易流程 买卖双方直接交易,服务机构专业辅导,觅多多全程监督服务

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