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  • 一种半导体器件点胶机

  • 2021-07-16 14:44  [湖北武汉市] 专利注册号：2020108868094 专利申请时间：
  • 本发明公开了一种半导体器件点胶机，其结构包括机体、点胶器、输送器、控制面板，点胶器安装在机体正面顶部中心位置，输送器设在机体顶部表面，使用点胶机对半导体器件点胶加工时，为了减少点胶管外壁残留胶水，通过伸缩管随着点胶管内部的进胶数量的多少，在点胶管内部上下移动，有利于减少点胶管直接与器件表面接触，保持
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  • 一种半导体芯片封装框架

  • 2020-07-04 22:37  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号：2018110865025 专利申请时间：
  • 一种半导体芯片封装框架
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  • 大功率半导体激光器外延与芯片制备

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号： 专利申请时间：
  • 本项目形成9**nm大功率单发光条半导体激光器，输出功率大于12W，寿命1万小时。主要优势：（1）填补国内空白。（2）易于光纤耦合。（3）多种波长可选。所处研发阶段：中试阶段。适合应用领域：直接光加工、固体激光器泵浦源、光纤激光器泵浦。已有应用情况：北京大族天成半导体技术有限公司；重庆航伟光电科技有限公司等。
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  • 微型半导体热-电转换技术

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号： 专利申请时间：
  • 热电转换技术是通过半导体材料的热电效应实现热能与电能直接相互转换的技术，受到广泛关注。热电器件由于其没有流体工质和压缩膨胀等运动部件，因而没有震动和噪生、可靠性高，而且易安装，寿命长。微型半导体热电转换技术按原理分热电制冷和热电发电。
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  • 可调谐半导体激光器

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号：CN201810060016.X 专利申请时间：
  • 可调谐半导体激光器，包括：有源区、相位区和光栅区；有源区从下而上依次设置有第一衬底、第一缓冲层、第一波导层、有源层和第一覆盖层，在第一覆盖层上设有第一电极；相位区从下而上依次设置有第二衬底、第二缓冲层、第二波导层和第二覆盖层，在第二覆盖层上设有第二电极；光栅区从下而上依次设置有第三衬底、第三缓冲层、
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  • 热电制冷及直接蒸发制冷的太阳能半导体空调伞

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号：CN201811542175.X 专利申请时间：
  • 基于热电制冷及直接蒸发制冷的太阳能半导体空调伞，所述空调伞包括基座、多个滑轮、伞杆、出风管、制冷组件及伞面，多个滑轮设置在所述基座的一侧，所述滑轮通过转动来带动所述空调伞移动；所述伞杆竖直设置，其一端连接于所述基座的一侧，另一端连接于所述伞面；制冷组件设置在所述基座内，其用于对空气进行制冷，并将冷却
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  • 半导体金属氧化物电子鼻

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号： 专利申请时间：
  • 常规的电子鼻通常基于商品化的为数有限的半导体金属氧化物传感器单元，其筛分能力受到很大限制，同时价格昂贵。我所发明的半导体金属氧化物层层组装构建传感器的方法，可以基于一种金属氧物，通过组装方式的改变，得到多个半导体金属氧化物传感器单元，大大拓展了电子鼻的区分能力，可用于茶叶、烟草、酒、咖啡等生产加工过
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  • 光催化性能新型半导体复合颗粒的制备技术

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号： 专利申请时间：
  • 本技术旨在以新型方法制备出新型结构并且催化效率高的光催化剂。首先以微波法制备了结构新颖,可用于光敏剂的酞菁。然后分别制备了水溶性的负载型酞菁及酞菁敏化TiO2纳米颗粒,并实施了金属氧化物复合、非金属与金属氧化物共复合纳米TiO2颗粒的制备及光催化应用。
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  • InP基2微米波段半导体激光器

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号： 专利申请时间：
  • InP基In(Ga)As量子阱在材料制备及器件工艺制作方面具有诸多优势。除了具有高质量，低成本的衬底材料，InP基激光器因其兼容传统通讯用激光器的成熟工艺，且易与其它器件实现集成等优势而具有更好的工业应用前景。该所拥有采用MOCVD制备大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半导体激光器工艺制作以及器件测试封装的全套技
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  • 高功率太赫兹半导体激光器

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号： 专利申请时间：
  • 太赫兹（THz）波介于中红外和微波之间，是一种安全的具有非离化特征的电磁波。它能够穿透大多数非导电材料同时又是许多分子光学吸 收的特征指纹光谱范围。它的光子能量低（1 THz对应的能量大约4 meV），穿透生物组织时不会产生有害的光电离和破坏，在应用到对生物组织的 活体检验时，比X光更具优势。它的波长比微波短，能够
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  • 户外车载半导体取水设备

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号：ZL 2014 2 0434846.1 专利申请时间：
  • 该技术涉及半导体制冷技术领域，尤其涉及一种户外车载半导体取 水装置，包括：壳体，其为竖直设置的中空筒状结构，且两端均设置有开口；冷凝系统，包括冷凝件和半导体制冷片，其中冷凝件固定于壳体内部，半导体制冷片固定于壳体外部，且所述冷凝件穿过壳体与半导体制冷片的冷端紧密贴合；储水瓶，其设置在所述冷凝系统下部
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  • 液态半导体制冷换热模块和大功率液态半导体制冷换热设备

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号：201410352929.0 专利申请时间：
  • 该发明涉及半导体制冷换热领域，尤其涉及一种液态半导体制冷换 热模块，包括：一对金属板体，每一金属板体上均固定有多个半导体制 冷片，且每一金属板体中间均开设有通孔；第一金属螺旋管，其固定在 一对金属板体形成的第一容置空间中，且所述第一金属螺旋管的一端从 所述第一容置空间的侧部伸出连接至第一液体输送管，所述
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  • 石墨烯半导体用离子层制备技术和设备

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号：201310024223.7 专利申请时间：
  • 该石墨烯半导体用离子层制备技术和设备包括：用电子轰击原子， 生成离子流；采用磁偏转技术除去离子流中的部分杂质离子，得到第一 次除杂后的离子流；采用与未除去的杂质离子元素相同的同位素物质对 第一次除杂后的离子流进行共振吸收，得到第二次除杂后的离子流；将 第二次除杂后的离子流均匀地注入到石墨烯基体模中。该发
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  • 基于半导体开关和铁氧体传输线的IRA超宽带辐射阵列

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号：ZL 201310162368.3 专利申请时间：
  • 通过该技术，能够实现一种新的高功率超宽带辐射阵列方案，该方 案能解决传统的光导开关脉冲放电单元普遍存在的亚纳秒开关高重频与 长寿命之间的矛盾，同时能以更简洁可靠的方式实现脉冲放电单元之间 的亚ns 级精确延时放电控制，为IRA 阵列（冲激辐射阵列）远距离、高 分辨率时域波形扫描功能的实现奠定基础。
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  • 高功率半导体激光器

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号： 专利申请时间：
  • 该系列产品采用具有自主知识产权、国内领先的微透镜阵列激光光束准直及整形技术，具有亮度高、耦台效率高、快慢轴方向光束质量均衡、工作稳定和使用寿命长等优势。选用进口／国产高性能激光器，其输出功率毫瓦级~百瓦级、输出波长635mm - 980mm、光纤芯径lOum - 800um、数值孔径022 - 0.37，共计两大系列十余种产品，也可根
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  • 锑化物高功率半导体激光器

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号： 专利申请时间：
  • 提出了锑化物微脊宽区波导结构，有效抑制了载流子侧向泄露和累积，将1.96μm波长的锑化物激光器最高能量转换效率由9.8%提高到30.5%，连续输出功率超过了1.28W，侧向光束质量改善了36%，阈值、温度特性和电流对远场的影响都得到明显改善
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  • 窄线宽高功率半导体激光器

  • 2020-05-27 21:49  [湖北武汉市洪山区] 专利注册号： 专利申请时间：
  • 带宽窄化至0.1nm，中心波长可调，VBG 窄化波长
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