1、研究内容
（1）低位错密度的AlN、高Al组分AlGaN核心结构材料的外延、掺杂技术和产业化技术研究；
（2）高光提取效率、高功率效率的深紫外LED器件工艺与光子调控技术研究；
（3）低热阻、高可靠性的深紫外LED器件先进封装技术研究；
2、关键技术指标
（1）270-280 nm 深紫外LED外量子效率>5%，L50寿命>20000 h。
1、研究内容
（1）低位错密度的AlN、高Al组分AlGaN核心结构材料的外延、掺杂技术和产业化技术研究；
（2）高光提取效率、高功率效率的深紫外LED器件工艺与光子调控技术研究；
（3）低热阻、高可靠性的深紫外LED器件先进封装技术研究；
2、关键技术指标
（1）270-280 nm 深紫外LED外量子效率>5%，L50寿命>20000 h。
2008- © 觅多多 版权：湖北创优企科技服务有限公司所有 专利转让①群：128800896 商标转让①群：339449938
鄂公网安备 42011102004269号
鄂ICP备18024502号-3 营业执照
觅多多-专利转让,专利查询,政策查询,商标转让,商标查询,商标取名,商标分类,公司取名,证书查询,专利技术转让|知识产权运营 地址：湖北省武汉市洪山区光谷鲁磨路联丰时代广场902室
