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SiC衬底上外延生长高性能氮化镓基电子材料

商城价： 面议

市场价：￥0

专利申请号：

专利分类： 机械建筑设备类新材料技术

专利类型：发明专利

交易方式： 第三方委托

人气值 151

技术与证书一起转让

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专利详情最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

氮化镓（GaN）基电子材料是发展新一代GaN基微波功率器件和电力电子器件的基础，处于信息产业链的高端，是各国竞相占领的新一代战略高技术制高点，也是推动和发展我国新一代信息产业的重要机遇。　　半导体所半导体照明研发中心主持国家重点研发计划项目专项“战略性先进电子材料 —面向下一代移动通信的GaN基射频器件关键技术及系统应用”的课题1“ SiC单晶制备及GaN外延生长”，已经攻克了大尺寸碳化硅和硅衬底上GaN基电子材料外延生长的关键科学技术问题，在高阻GaN外延材料、高迁移率GaN外延材料、高迁移率AlGaN/GaN异质结结构材料等方面形成了系统的自主知识产权，设计并研制出了多种具有特色的AlGaN/GaN异质结构电子材料。适于研制生产高频、大功率GaN基功率器件、单片集成电路和电力电子器件，可广泛应用于手机基站、航空航天、卫星通信、雷达、智能电网、电动汽车、高速列车等领域，具有重大应用前景和市场潜力。