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一种硅压阻式压力传感器芯片

一种硅压阻式压力传感器芯片

商城价： 面议

市场价：￥0

专利申请号：201310375752.1

专利分类： 通信电子航空类   传感器

专利类型：发明专利

交易方式： 第三方委托

人气值 175

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    专利详情 最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

    该成果包括:硅压阻式压力传感器基本体、隔离层、增稳层、金属层、接触孔、硅衬底重掺杂区，其特征在于硅压阻式压力传感器由SOI硅片制作，在压敏电阻下方埋有二氧化硅层，隔离层覆盖在硅压阻式压力传感器基本体上，隔离层上刻蚀有接触孔，孔内充有金属，该金属与硅衬底重掺杂区进行欧姆接触并与芯片表面的金属层相连，增稳层设置在隔离层上，增稳层与接触孔内的金属经金属层实现电气连接，金属层上形成芯片的最高电位点，即传感器的供电焊盘。优点是在于未大幅改动传统硅压阻式压力传感器芯片的结构前提下，只需稍微改变一下硅压阻式压力传感器芯片的结构，增加少量工艺步骤就可以显著提升其输出稳定性。

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