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大功率半导体激光器外延与芯片制备

大功率半导体激光器外延与芯片制备

商城价： 面议

市场价：￥0

专利申请号：

专利分类： 通信电子航空类   电路元器件

专利类型：发明专利

交易方式： 第三方委托

人气值 199

技术与证书一起转让

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    专利详情 最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

    本项目形成9**nm大功率单发光条半导体激光器，输出功率大于12W，寿命1万小时。主要优势：（1）填补国内空白。（2）易于光纤耦合。（3）多种波长可选。所处研发阶段：中试阶段。适合应用领域：直接光加工、固体激光器泵浦源、光纤激光器泵浦。已有应用情况：北京大族天成半导体技术有限公司；重庆航伟光电科技有限公司等。

    交易流程 买卖双方直接交易，服务机构专业辅导，觅多多全程监督服务

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