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阻变存储器与铁电FinFET

阻变存储器与铁电FinFET

商城价： 面议

市场价：￥0

专利申请号：

专利分类： 医药医疗化工类   生物医药

专利类型：发明专利

交易方式： 第三方委托

人气值 57

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    专利详情 最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

    基于HZO铁电FinFET的混合存储器件。该器件在电荷俘获模式下，表现出高耐 久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的数据保持特性（104@85oC），与DRAM 的性能相近，为在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。当器件工作在 电筹翻转模式下的时候，器件表现出非常好的数据保持特性（>10年）以及对读取 信号串扰的免疫能力，使该器件同时具有优越的不挥发存储特性。

    交易流程 买卖双方直接交易，服务机构专业辅导，觅多多全程监督服务

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