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氮化镓界面态起源

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商城价: 面议

市场价:¥0

专利申请号:

专利分类: 医药医疗化工类   生物医药

专利类型:发明专利

交易方式: 第三方委托

人气值 64

技术与证书一起转让

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    专利详情 最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

    基于超低温的恒定电容深能级瞬态傅里叶谱表征了LPCVD-SiNx/GaN界面态,在 70K低温下探测到近导带能级ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的极 小捕获界面。在国际上第一次通过高分辨透射电镜在LPCVD-SiNx/GaN界面发现晶化 的Si2N2O分量,并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析,证明了近导带界面 态主要来源于镓悬挂键与其临近原子的强相互作用。由于晶化的Si2N2O分量中电子 平均自由程比无定形介质分量自由程长,且Si2N2O与GaN的晶格失配非常小,使得 近导带界面态的捕获界面非常小。

    交易流程 买卖双方直接交易,服务机构专业辅导,觅多多全程监督服务

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