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磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件

磁随机存储器芯片（STT-MRAM）器件

商城价： 面议

市场价：￥0

专利申请号：

专利分类： 通信电子航空类   电路元器件

专利类型：发明专利

交易方式：第三方委托交易

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    专利详情 最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

    STT-MRAM 是一种极具应用潜力的下一代新型存储器解决方案。由于采用了大量 的新材料、新结构，加工制备难度极大。当前，美韩日三国在该项技术上全面领先， 很有可能在继硬盘、DRAM 及闪存等存储芯片之后再次实现对我国100%的垄断。微 电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超与北京航空航天大学教授赵巍胜的 联合团队通过3 年的艰苦攻关，在STT-MRAM 关键工艺技术研究上实现了重要突破， 在国内首次采用可兼容CMOS 工艺成功制备出直径80nm 磁隧道结，器件性能良好， 其中器件核心参数包括隧穿磁阻效应达到92%，可实现纯电流翻转且电流密度达到 国际领先水平。

    交易流程 买卖双方直接交易，服务机构专业辅导，觅多多全程监督服务

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