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新型FinFET器件工艺

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商城价： 面议

市场价：￥0

专利申请号：

专利分类： 医药医疗化工类   生物医药

专利类型：发明专利

交易方式： 第三方委托

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    专利详情 最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

    全金属化源漏FOI FinFET 相比类似工艺的常规FinFET 漏电降低1 个数量级， 驱动电流增大2 倍，驱动性能在低电源电压下达到国际先进水平。由于替代了传统 的源漏SiGe 外延技术，与极小pitch 的大规模FinFET 器件的兼容性更好，有助于 降低制造成本，提高良品率，具有很高的技术价值。

    交易流程 买卖双方直接交易，服务机构专业辅导，觅多多全程监督服务

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