高性能氮化镓基电子材料-新材料技术-机械建筑设备类-武汉专利商城-武汉专利转让网-武汉专利买卖网-觅多多-知识产权与科技创新服务平台
您好，欢迎光临觅多多企业服务平台！ | 新手指南 | 联系客服 | APP下载
客服专线：027-87053558
收藏本页

专利转让查询

热门专利： 材料 半导体 无人机 农业 环保 物联网 医疗器械 污水处理 化工生产

首页 专利 机械建筑设备类 新材料技术 高性能氮化镓基电子材料
专利求购 专利发布
高性能氮化镓基电子材料

高性能氮化镓基电子材料

商城价： 面议

市场价：￥0

专利申请号：

专利分类： 机械建筑设备类   新材料技术

专利类型：发明专利

交易方式： 第三方委托

人气值 227

技术与证书一起转让

快速收藏 询价留言

    • 邹经理

      18986094588
      794753388

      客户经理

      扫码加好友，轻松畅聊

    • 周经理

      18571494448
      252623329

      客户经理

      扫码加好友，轻松畅聊

    • 李经理

      13581326110
      78351858

      客户经理

      扫码加好友，轻松畅聊

    专利详情 最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

    中科院半导体所是国内最早开展 GaN 基电子材料研发的单位，并一直在该领域起着引领、 示范和带动作用。经过尽二十年的自主创新，攻克了 2 英寸和3英寸蓝宝石、碳化硅和硅衬底上GaN 基电子材料外延生长的关键科学技术问题，在高阻 GaN 外延材料、高迁移率 GaN 外延材料、高迁移率 AlGaN/GaN 异质结结构材料等方面形成了系统的自主知识产权，设计并研制出了多种具有特色的 AlGaN/GaN 异质结构电子材料，并实现了批量供片。市场预期：该技术是采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法，在蓝宝石、碳化硅或者硅衬底上外延高性能 GaN 基电子材料，采用该技术研制的GaN基电子材料，生长速度快、材料质量好，重复性和均匀性高。采用该技术所研制的外延材料性能为国内领先、国际先进水平，部分指标参数为国际领先水平。

    交易流程 买卖双方直接交易，服务机构专业辅导，觅多多全程监督服务

    交易流程 交易流程 交易流程 交易流程 交易流程 交易流程 交易流程 交易流程 交易流程

    推荐专利

    还没有找到合适的专利？让我们 帮您找找！

    027-87053558

    在线咨询
    移动端
    APP
    公众号
    政策助手

    政策助手

    客服
    电话
    AM 8:30-PM 18:00

    027-87053558

    置顶
    • 多

      数量多

      10万+专利转让数据资源

    • 政策新

      定期实时更新最新政策信息

    • 专利新

      优质专利技术为企业提供创新动力

    • 服务全

      多种查询工具为企业排忧解难
    网站首页 联系方式 使用协议 版权隐私 广告服务 积分换礼 帮助中心 挑错留言 会员升级 公告中心 友情链接 排名推广 下载中心

    2008- © 觅多多 版权：湖北创优企科技服务有限公司所有 专利转让①群：128800896 商标转让①群：339449938 鄂公网安备 42011102004269号 鄂ICP备18024502号-3 营业执照
    觅多多-专利转让,专利查询,政策查询,商标转让,商标查询,商标取名,商标分类,公司取名,证书查询,专利技术转让|知识产权运营  地址：湖北省武汉市洪山区光谷鲁磨路联丰时代广场902室