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碳化硅材料外延关键技术研究

商城价： 面议

市场价：￥0

专利申请号：

专利分类： 机械建筑设备类新材料技术

专利类型：发明专利

交易方式： 第三方委托

人气值 226

技术与证书一起转让

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专利详情最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

本项目研究的碳化硅外延技术有其特殊性，不同于一般的半导体外延技术， SiC 外延生长技术在生长温度、生长速率、缺陷和均匀性控制的具体指标要求以及实现途径上都突出了电力系统应用的特点。目前，国际上已经形成了从碳化硅衬底材料、外延材料到器件制备的一整套产业体系。高质量 SiC 外延材料是 SiC 功率器件的基础材料，目前的国内外电力电子器件需要的碳化硅外延材料的发展趋势都是向大直径、低缺陷、高度均匀性等方向发展。目前，几乎所有的碳化硅器件都是在碳化硅外延层上制备的。高质量的碳化硅外延材料是研究制备电网用碳化硅电力电子器件的基础。由于电网设备要求半导体器件具有高耐压、大电流、低损耗、高频、高温和低过冲电压等特殊性能，因此电力电子器件碳化硅外延材料的制备也面临新的更高的要求。采用自主开发的碳化硅外延技术，将为充分发挥碳化硅材料的优势，制备满足电网系统需求的碳化硅器件创造必要的条件。