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宽禁带半导体ZnO和AlN单晶生长技术

商城价： 面议

市场价：￥0

专利申请号：

专利分类： 通信电子航空类电路元器件

专利类型：发明专利

交易方式： 第三方委托

人气值 222

技术与证书一起转让

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专利详情最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率（3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等优点，是一种研制新型大功率微波器件和短波长发光器件的极为理想的衬底材料。大尺寸 AlN 单晶材料的研制成功将加快深紫外发光器件、新型大功率射频器件的发展和在半导体照明、医疗卫生、生物检测、微波通信等领域的应用。单晶片主要应用于：研究开发紫外、深紫外探测器和发光二极管；声表面波器件；气敏器件、压电器件和大功率微波器件。