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水平石墨烯p-n异质结阵列构建及其光电探测

水平石墨烯p-n异质结阵列构建及其光电探测

商城价： 面议

市场价：￥0

专利申请号：

专利分类： 通信电子航空类   通信设备

专利类型：发明专利

交易方式： 第三方委托

人气值 179

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    专利详情 最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

    该研究在高质量水平石墨烯p-n 异质结的阵列制备及其光电探测方面取得重要 进展。狄增峰、王刚等研究人员结合离子注入技术和化学气相沉积（CVD）技术， 利用“异质原子成核-促进石墨烯再生长”两步动力学路径制备出精准掺杂石墨烯 材料。通过控制注入离子的种类和剂量，实现了具有精确掺杂浓度的n 型和p 型石 墨烯；通过选区注入，在同一基底的相邻区域内分步注入n 型掺杂离子和p 型掺杂 离子，成功构建出水平石墨烯p-n 异质结阵列。石墨烯p-n 异质结阵列具有优异的 光电探测性能，其响应度达到1.4~4.7 AW-1，探测率达到~1012 cmHz1/2W-1。这 一研究为研制低成本、大规模、高效率石墨烯光电探测器提供了一种解决方案，有 望促进石墨烯材料在光电探测领域的规模化应用。

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