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新型二维半导体量子材料C3N

新型二维半导体量子材料C3N

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专利申请号：

专利分类： 机械建筑设备类   新材料技术

专利类型：发明专利

交易方式：第三方委托交易

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    专利详情 最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

    使用2,3-二氨基吩嗪小分子水热合成方法成功实现了该单层二维新材料的制 备。该材料为一种由碳和氮原子构成的类似石墨烯的蜂窝状无孔有序结构，是一种 新型间接带隙半导体，本征带隙为0.39 eV，带隙可以通过纳米尺寸效应进行调控， 理论计算和实验结果一致。基于单层C3N 薄膜的FET 器件开关比可以高达5.5× 1010，载流子迁移率可达220 cm2V-1s-1。通过调控C3N 量子点的尺寸，可以实现 约400-900 nm 的光致发光。值得注意的是该材料可以通过氢化实现电子注入，并 在96 K 温度以下产生铁磁长程序。带隙的存在弥补了石墨烯没有本征带隙的缺憾， 氢化载流子注入为调控该材料的电学特性提供了新的手段，铁磁性预示该材料体系 具有丰富的物理内涵。

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