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金属晶体生长炉及金属单晶生长技术

金属晶体生长炉及金属单晶生长技术

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专利申请号：

专利分类： 医药医疗化工类   生物医药

专利类型：发明专利

交易方式： 第三方委托

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    专利详情 最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

    单晶材料在基础研究和应用基础研究领域，都有独特的应用。在基础研究中，经常会用到各种金属单晶试样，对其在不同条件下由各向异性带来的优异性能进行测试分析。或者在应用研究中，利用金属单晶作为基底材料，生长制备各种性能优异的新型功能材料；  主要技术指标（或参数）： 1、真空度：<10-3Pa； 2、温度范围：600～1600℃； 3、最大温度梯度：30℃/cm； 4、生长速度：1mm/小时～100mm/小时。  应用领域： Al，Cu，Ni，Au，Ag等单质金属单晶体和双晶体，及CuAu、CuNi,FeAl等合金单晶。  市场前景： 设备面向加热炉生产厂家，晶体面向科研院所，具有很好的社会经济价值。

    交易流程 买卖双方直接交易，服务机构专业辅导，觅多多全程监督服务

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