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薄膜型锑化铟霍尔元件

薄膜型锑化铟霍尔元件

商城价: 面议

市场价:¥0

专利申请号:

专利分类: 通信电子航空类   电路元器件

专利类型:发明专利

交易方式: 第三方委托

人气值 212

技术与证书一起转让

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    专利详情 最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

    南开大学研发的薄膜型锑化铟霍尔元件的技术指标与日本旭化成公司和韩国三星公司的指标是一致的,从原材料成本上,南开大学开发的技术比日本旭化成公司和韩国三星公司的成本要便宜30%左右,且实现了一种很高的镀膜均匀性,保证了很高的产品的良品率和镀膜的均匀性。南开大学同时还开发了薄膜型锑化铟霍尔元件测试技术,以及锑和铟组分比为1:1的锑化铟薄膜材料。 锑和铟组分比为1:1的锑化铟薄膜材料。

    交易流程 买卖双方直接交易,服务机构专业辅导,觅多多全程监督服务

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