第三代半导体芯片是未来发展的趋势,三代半导体大功率芯片封装中,传统焊膏、胶体材料由于自身缺陷,渐渐无法满足使用的需求。为了克服现有缺点,需要寻求一种新型的材料。纳米银膏,一种无铅新材料,可以明显提高器件寿命,承受更大的功率密度和更高的工作温度,与传统互连材料相比,具体优势有:更高的使用寿命/可靠性;更高的热导率;更高的电导率;更高的使用温度;无铅化;无残留。并且能够与现有的生产设备相匹配,实现无压烧结,配合传统工艺。项目获得国家总装备部预研项目,深圳市科技计划,广东省科技计划项目支持。正在参与申报国防科技工业局基础研究项目,同时与多家军工研究所,军工企业,民营企业进行工业化实验,产品成熟稳定,进入商业推广阶段。技术指标:有压条件下,电阻率纯银4倍,热导率400W/mK,剪切强度50MPa以上;无压条件下,电阻率纯银5倍,热导率200W/mK,剪切强度20MPa以上,全部满足国军标准。