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石墨烯半导体用离子层制备技术和设备

石墨烯半导体用离子层制备技术和设备

商城价： 面议

市场价：￥0

专利申请号：201310024223.7

专利分类： 通信电子航空类   电路元器件

专利类型：发明专利

交易方式： 第三方委托

人气值 241

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    专利详情 最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

    该石墨烯半导体用离子层制备技术和设备包括：用电子轰击原子， 生成离子流；采用磁偏转技术除去离子流中的部分杂质离子，得到第一 次除杂后的离子流；采用与未除去的杂质离子元素相同的同位素物质对 第一次除杂后的离子流进行共振吸收，得到第二次除杂后的离子流；将 第二次除杂后的离子流均匀地注入到石墨烯基体模中。该发明通过依次 采用磁偏转技术和共振吸收技术除去离子流中的杂质离子，从而提高了 注入离子的纯度，使得制成的离子层具有良好的导电性能，提高了石墨 烯半导体的整体性能。 本成果转让后将对本领域的新产品研发创新提供一定的影响。

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