该石墨烯半导体用离子层制备技术和设备包括:用电子轰击原子, 生成离子流;采用磁偏转技术除去离子流中的部分杂质离子,得到第一 次除杂后的离子流;采用与未除去的杂质离子元素相同的同位素物质对 第一次除杂后的离子流进行共振吸收,得到第二次除杂后的离子流;将 第二次除杂后的离子流均匀地注入到石墨烯基体模中。该发明通过依次 采用磁偏转技术和共振吸收技术除去离子流中的杂质离子,从而提高了 注入离子的纯度,使得制成的离子层具有良好的导电性能,提高了石墨 烯半导体的整体性能。
本成果转让后将对本领域的新产品研发创新提供一定的影响。