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InP基2微米波段半导体激光器

商城价： 面议

市场价：￥0

专利申请号：

专利分类： 通信电子航空类电路元器件

专利类型：发明专利

交易方式： 第三方委托

人气值 126

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专利详情最终专利状态以国家知识产权局当前状态为准

InP基In(Ga)As量子阱在材料制备及器件工艺制作方面具有诸多优势。除了具有高质量，低成本的衬底材料，InP基激光器因其兼容传统通讯用激光器的成熟工艺，且易与其它器件实现集成等优势而具有更好的工业应用前景。该所拥有采用MOCVD制备大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半导体激光器工艺制作以及器件测试封装的全套技术。该所制备的激光器外延芯片波长可精确调控，其面内波长不均匀性低至±3nm，相应的激光器件性能指达到国际先进水平。市场预期：目前市场对2微米激光器的应用需求主要集中在以下几个方面：1、CO2、CO、H2O及N2O等痕量气体探测；2、2微米波段大功率固体激光器种子源；3、2.1微米掺钬光纤激光器泵浦源。